ウィンボンド・エレクトロニクス、2Gb NAND + 2Gb LPDDR4xのマルチチップパッケージをリリース- 5G CPEモデムの本格展開をサポート

台湾台中市-2019年6月18日-- 半導体メモリソリューションの世界的サプライヤであるウィンボンド・エレクトロニクスは、1.8V 2Gb NANDフラッシュと1.8V 2Gb LPDDR4xをコンパクトな8.0mm x 9.5mm x 0.8mmのマルチチップパッケージ（MCP）に搭載した製品を発表しました。

 

ロバストなシングルレベルセル（SLC）NANDフラッシュとハイスピードで低電力のLPDDR4x DRAMを組み合わせた新製品W71NW20KK1KWは、家庭やオフィスでCPE（Customer Premises Equipment）として使用されている5Gセルラーモデムに十分なメモリ容量を提供します。

 

モバイル5Gモデムは大容量メモリを必要としますが、スタティック5G CPEモデムは2Gb NANDフラッシュと2Gb DRAMで動作可能です。ウィンボンド・エレクトロニクスのW71NW20KK1KWはコンパクトなシングルパッケージ内に二つのメモリを組み合わせて実装しており、5Gモデムメーカは必要最低限の部品と製造コストで5G CPEモデムのシステム要件を満たすことが可能です。

 

W71NW20KK1KWを組み込んだコストパフォーマンスのよい新世代5G CPEモデムの導入は、高速ブロードバンドネットワークのラストマイルで固定電話回線リンクまたは光xDSLリンクに代わるものとして5Gの消費者採用を後押ししてくれると期待されています 。

 

ウィンボンド・エレクトロニクスのプロダクトマーケティングマネージャ、Wilson Huang氏は次のように述べています。「携帯電話市場の次なる成長に向け家庭やオフィスにスタティック５G CPEモデムが設置されつつある中、ウィンボンド・エレクトロニクスの2Gb + 2Gb MCP W71NW20KK1KWは最適です。」

 

「ウィンボンド・エレクトロニクスは自社工場でNANDフラッシュとLPDDR4xの両製品を製造して、MCPを提供している唯一の半導体メモリメーカです。生産は完全にコントロールされており、W71NW20KK1KWの供給数量、スケジュール、品質、サービス保証に対する顧客のご要望を100%満たす事が出来ます。」

 

W71NW20KK1KWは、2Gb SLC NANDフラッシュダイと2Gb LPDDR4x DRAMダイからなる149ボールBGA (Ball Grid Array)のMCPです。

 

W71NW20KK1KWに実装されたロバストなSLC NANDフラッシュは、優れたエンデュランス仕様と高いデータ保持特性を僅か4ビットECCで達成できますが、1ページあたり128Bのスペア領域には8ビットECCを使用するのに十分なスペースがあります。8ビットI/O、1ブロック64ページ、最大25μsのページリード時間、250μsのページプログラム時間です。

 

 

 

 

 

LPDDR4x DRAMダイは動作周波数1866MHzで, LVSTL_11インターフェイス、コンカレント動作可能な8つの内部バンクを備えています。最大4267MT/秒のデータ転送速度で、5G携帯電話ネットワークの高速データ転送速度に対応します。

 

W71NW20KK1KWは現在量産出荷中です。詳細については、ウェブサイト（www.winbond.com）をご参照ください。

 

ウィンボンド・エレクトロニクスについて

ウィンボンド・エレクトロニクスはトータルメモリソリューションプロバイダです。製品の設計、研究開発、製造、および販売サービスのエキスパートとして、お客様のニーズに基づいたメモリソリューションを提供しています。ウィンボンド・エレクトロニクスの製品ポートフォリオは、スペシャリティDRAM、モバイルDRAM、およびコードストレージフラッシュで、通信、家電、車載、産業用、そしてコンピュータ周辺機器市場におけるTier1メーカーで広く採用されています。

台湾中部サイエンスパーク(CTSP)を拠点とし、米国、日本、イスラエル、中国、香港に子会社を有しています。

稼働中の台湾・台中の12インチファブ、および新たに建設を進めている高雄の12インチファブをベースに、高品質メモリ製品を提供するため、更なる自社技術開発を進めています。

詳細については、www.winbond.comをご覧ください。